Файл:МРБ 0451. Попов П.А. Характеристики плоскостных транзисторов.djvu

Материал из РадиоВики - энциклопедии радио и электроники
Перейти к: навигация, поиск
Выкупить рекламный блок
Ссылка на страницу индекса

условимся о том, как будем обозначать на схемах и графиках нанаправления токов и полярность напряжений.

Во избежание недоразумений следует помнить, что символасимволами /к, /б, /э, Uk-э, ^к_б, ?/э_б, Л, Ui, h, U2 на протяжении всей брошюры мы обозначаем не переменные составляющие токов и нанапряжений, а величины постоянных токов и напряжений между элекэлектродами транзистора.

Ток эмиттера, коллектора или базы считаем положительным, если его фактическое направление совпадает с направлением соотсоответствующей стрелки на рис 1 Этот же ток считаем отрицательотрицательным, если его фактическое направление противоположно направленаправлению стрелки. Поэтому, например, равенство /б = — 0,5 ма или, что то же самое, — /б = 0,5 ма означает, что ток базы /б численно равен 0,5 ма и идет в данном случае не от транзистора, а к транзистору, т. е. в направлении, обратном показанному стрелкой на рис. 1.

Напряжения между выводами электродов транзистора будем обозначать символом 0 с двумя буквами в индексе. Буквы, стоястоящие в индексе, являются первыми буквами названий тех электродов, между которыми приложено данное напряжение.

Если один из электродов является общим, то соответствующая буква помещается в индексе на второе место Знак (плюс или миминус) перед численным значением напряжения выбираем таким обраобразом, чтобы полученная с учетом знака величина выражала потенпотенциал первого (по месту буквы в индексе) электрода по отношению к потенциалу второго электрода. Например, выражение Uk_q = —2 в означает, что коллектор находится под отрицательным по отношеотношению к базе потенциалом. Этот же факт можно выразить и так: ?/б_к = 2 в (база находится под положительным по отношению к коллектору потенциалом). Рассматривая схему с общей базой, следует применять первое выражение, а рассматривая схему с обобщим коллектором — второе. В случае схемы с общим эмиттером можно применить как первое, так и второе выражение ВЫХОДНЫЕ СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Выходные статические характеристики транзистора, как и все остальные характеристики, мы достаточно подробно рассмотрим для случая включения транзистора по схеме с общим эмиттером (рис. 3).

Полярность источников питания на рис. 3 и в дальнейшем соответствует транзистору структуры р-п-р.

Сравнивая этот рисунок с рис. 2 и вспоминая определение выходной харакхарактеристики, приходим к выводу, что вывыходной характеристикой транзистора в данном случае является график зависи- Рис. 3. Включение транмости тока /к в цепи коллектора от зистора по схеме с обвеличины напряжения ?/к_э между вы- щим эмиттером. 2—2358 к

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25
Перейти на страницу


Исходный файл(3000 × 4677 пикселей, размер файла: 569 КБ, MIME-тип: image/vnd.djvu, 25 страниц)

История файла

Нажмите на дату/время, чтобы просмотреть, как тогда выглядел файл.

Дата/времяМиниатюраРазмерыУчастникПримечание
текущий06:32, 31 декабря 2010Миниатюра для версии от 06:32, 31 декабря 20103000 × 4677, 25 страниц (569 КБ)Admin (обсуждение | вклад)
  • Вы не можете перезаписать этот файл.

Следующие 2 страницы ссылаются на данный файл: