Страница:Кривицкий Б.Х. Справочник по радиоэлектронным системам. Том 2.djvu/288

Материал из РадиоВики - энциклопедии радио и электроники
Перейти к: навигация, поиск
Выкупить рекламный блок
Эта страница не была вычитана


§ 9-5]

ПРИМЕНЕНИЕ ЛАЗЕРОВ В ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССАХ

287

Таблица 9-4

Поглощательная способность при нормальном падении луча ОКГ [10]

Длина волны, мкм

Золото

Медь

Молибден

Серебро,

0,4880

0,585

0,563

0,545

0,048

0,6943

0,07

0,169

0,502

0,039

1,06

0,019

0,099

0,418

0,036

10,6

0,025

0,016

0,055

0,011

Длина волны, мкм

Алюминий

Хром

Железо

Никель

0,4880

0,6943

0,445

0,425

0,324

1,06

0,267

0,430

0,350

0,259

10,6

0,030

0,070

0,059

щества и соотношением между глубиной проникновения излучения б, радиусом зоны облучения г0, глубиной прогреваемого слоя

  • пр bt , где b — температуропроводность материала^ см2/с, t — длительность воздействия излучения, с.

щает энергию на ^=10,6 мкм в слое толщиной менее 1 мкм.

Полупроводники сильно поглощают энергию, начиная с частоты * излучения /, для которой энергия кванта hf больше ширины запрещенной зоны или достаточна для ионизации примесей. Коэффициент поглощения у полупроводников обычно несколько меньше, чем у металлов, и составляет 104— 105 см-1.

Температура облучаемого материала определяется энергетйческими параметрами светового пучка излучения, свойствами веРис. 9-25. Зависимость д* н OTVbx/r0.

Для металлов, обладающих обычно высокой температуропроводностью, Яцр^>6, а для неметаллов 5>хпр.

Каждой из стадий обработки материалов соответствует определенная температура. В табл. 9-5 приведены ф-лы для инженерного расчета температуры центра зоны облучения на поверхности материала при воздействии светового потока постоянной плотности [7].

Таблица 9-5

Температура центра зоны облучения при различных соотношениях, величин г0, б и VЫ

Случай

а) Поверхностный источник Vbt У 6

' б) Объемный источнику^ <б

Общий случай

Примечание, k — теплопроводность, кал/(см«страд); д — плотность, г/см3; с —удельная теплоемкость, кал/(г-град); Ти— начальная температура; i<D*(jc)- ехр(—х2)—Ф*<*)-

оо

= 1—ф(дг) = f ехр(—табулированная в [12]; £. (—х) интегральная показательная

Vn J 1

ф-ция.