Страница:МРБ 0733. Эймишен Ж.-П. Электроника?.. Нет ничего проще!.djvu/100

Материал из РадиоВики - энциклопедии радио и электроники
Перейти к: навигация, поиск
Выкупить рекламный блок
Эта страница не была вычитана


начнет пропускать ток, что вызовет запирание транзистора Т2, и все начнется сначала. На рис. 79 я нарисовал тебе изменения напряжений на коллекторах и на базах обоих транзисторов.

Н. — Я примерно догадываюсь, как это происходит, хотя и дьявольски сложно понять. По сути дела напряжения на базах имеют примерно такую же форму, что и на рис. 69, и это вполне нормально, потому что эти напряжения получены после цепочек

связи, состоящих из конден-

  • Е

Г

П/

Ч

t


Г


kf 1

Vn2

T

L

"б1

V“К

саторов и резисторов. Но меня изрядно удивляет форма напряжений на коллекторах. Почему напряжение так медленно повышается и так резко падает?

Л. — Медленный подъем кривой объясняется очень просто. Когда, например, транзистор Тх запирается, потенциал его коллектора не может быстро повышаться, так как для этого конденсатор С2 должен зарядиться через резистор Rv Это придает кривой, о которой ты говоришь, закругленную ферму.

А когда транзистор, например 7, резко отпирается, то схема по его коллектору как бы замыкается накоротко. Этим и объясняется большая крутизна спада напряжения на коллекторах, которую можно видеть на кривых изменения потенциалов коллекторов 7 и Г2. Кроме того, не следует забывать, что обе базы транзисторов не могут одновременно стать положительными. Как только база оказывается под малым положительным потенциалом, переход база — эмиттер становится проводящим, образуя настоящее короткое замыкание на корпус. Этим и объясняются горизонтальные участки кривых напряжений обеих баз на рис 79.

Можно было бы еще очень многое рассказать о мультивибраторе, но твоих знаний уже достаточно, чтобы иметь возможность использовать его в качестве делителя частоты.

Рис. 79. Форма напряжений показанного на предыдущем рисунке мультивибратора.

Условия насыщения

Н. — Прежде чем заняться делением частоты, я хотел бы задать один вопрос. Ты сказал, что транзисторы Тг и Т2 находятся в состоянии насыщения, когда работают. Я тебе верю, но хотел бы знать, почему.

Л. — Задавая этот вопрос, ты абсолютно прав. Предположим, например, что сейчас ток проводит транзистор Тг. Ток его базы проходит через резистор R3. Потенциал базы почти равен потенциалу эмиттера, как это бывает в любом не запертом транзисторе. Следовательно, падение напряжения на резисторе R3 практически равно + Е. Значит, протекающий по этому резистору ток, т. е. ток базы транзистора Тъ приблизительно равен E/R3,

'Кроме того, если этот транзистор находится в состоянии насыщения, потенциал его i оллектора практически равен нулю, а ток коллектора приблизительно равен E/Ri.

too