Страница:МРБ 0733. Эймишен Ж.-П. Электроника?.. Нет ничего проще!.djvu/101

Материал из РадиоВики - энциклопедии радио и электроники
Перейти к: навигация, поиск
Выкупить рекламный блок
Эта страница не была вычитана


Поэтому для выполнения условия насыщения достаточно иметь такой коэффициент усиления транзистора по току (который мы обозначаем буквой Р), чтобы произведение тока базы E/R3 на Р было больше максимального тока, который сможет

Е Е

пропустить коллектор, т. е. — р Возьмем для наглядности

к3 К1

числовой пример. Пусть коэффициент усиления транзистора по току Р = 30. Тогда для выполнения условия насыщения произ-

ведение 30 ~ должно быть больше E/R1э для чего достаточно,

АЗ

чтобы сопротивление резистора R3 было меньше 30Rx.

Н. — До сих пор я внимательно следил за тобой, но имеется еще один момент: ты пренебрегаешь токами, которые могут поступать или уходить с баз или коллекторов вследствие зарядов или разрядов конденсаторов.

Л. — Они только упорядочивают работу схемы. Например, когда конденсатор Сх заряжается через резистор R2, зарядный ток прибавляется к току, поступающему на базу транзистора Тх через резистор R3. Как ты видишь, он просто улучшит положение.

Синхронизация

Л. —А теперь я воспользуюсь диодом Дг, который до сих пор оставался без дела, чтобы подать на коллектор Тх отрицательный импульс из точки А через конденсатор С3.

Н. — А какую роль играет резистор /?5?

Л. —Этот резистор просто-напросто устанавливает средний потенциал* катода диода Дх на уровне + Е. Поэтому диод Дг может проводить ток только при запертом транзисторе 7 (потому что это повышает потенциал коллектора транзистора Тг и потенциал анода диода до уровня + Е), когда катод этого диода стал отрицательным под воздействием поступающего через конденсатор С3 импульса.

Н. — Но это ужасно! Если ты таким образом подашь импульс на коллектор транзистора 7, то полностью нарушишь работу схемы!

Л. —Должен признаться, что именно это я и намерен сделать. Предположим, например, что мультивибратор имеет тенденцию работать с частотой повторения 100 гц. Подадим ему в точку А отрицательные импульсы с частотой 330 гц. Предположим для начала, что первое срабатывание мультивибратора, совпадающее с резким падением потенциала на коллекторе транзистора 7, произойдет точно в момент поступления импульса в точку А.

Есть все основания полагать, что, когда в точку А придет следующий импульс, транзистор 7 еще будет в состоянии насыщения. Поэтому приложенный на катод диода импульс не будет передан. Следующий импульс может застать транзистор 7 в состоянии насыщения и также не вызовет никакого результата. Третий импульс придет в момент, когда мультивибратор вот-вот самопроизвольно опрокинется; 7 еще заперт, а база транзистора Т2 почти готова открыться. Этот третий импульс опрокинет мультивибратор на какое-то мгновение раньше, чем он сделал бы это сам. Три периода сигнала с частотой 330 гц занимают времени чуть меньше одной сотой доли секунды. Через три следующих импульса картина повторится во всех мельчайших подробностях; поступивший в точку А импульс вызовет опрокидывание мультивибратора немного раньше положенного ему срока. Таким образом наш мультивибратор станет работать несколько

101