Страница:МРБ 0880. Новоселов Л.Е. Транзисторные радиоприемники «Спидола», «ВЭФ», «Океан», «Меридиан» (2-е изд.).djvu/16

Материал из РадиоВики - энциклопедии радио и электроники
Перейти к: навигация, поиск
Выкупить рекламный блок
Эта страница была вычитана


встроенного выпрямительного устройства приемник «Океан-205» может питаться от сети переменного тока.

Для переносных транзисторных приемников немаловажное значение имеют вопросы снижения веса и габаритов. Эта задача решается применением малогабаритных узлов и деталей. Однако наиболее эффективное решение достигается использованием интегральных полупроводниковых микросхем, в которых резисторы, конденсаторы и активные элементы изготовлены в тонкой пластине монокристаллического полупроводника.

В приемнике «Меридиан-202» использованы шесть интегральных микросхем (ИМС) серии К-237: одна является усилителем ВЧ, гетеродином и смесителем тракта ЧМ; вторая и третья — УПЧ тракта ЧМ; четвертая — УВЧ с преобразователем частоты AM; пятая — УПЧ тракта AM с детектором и АРУ; шестая — предварительными каскадами УНЧ. Использование ИМС позволило уменьшить количество дискретных компонентов в приемнике, повысить надежность и уменьшить трудоемкость работ по сборке и регулировке.

ИМС для приемника «Меридиан-202» относятся к линейным гибридным ИМС, которые выполнены таким образом, что пассивные элементы (резисторы) изготовлены методами тонкопленочной технологии, а активные (транзисторы) — в виде дискретных навесных элементов, включенных в микросхему методами микропайки или микросварки.

Кратко метод получения гибридной ИМС сводится к следующему. Конструктивной основой является изоляционная подложка, изготовленная из аморфного силикатного стекла или ситалла и обработанная по очень высокому классу чистоты поверхности. После очистки на подложку методом катодного распыления в тлеющем разряде наносится тонкая пленка исходного материала, а затем производится вытравливание нужной конфигурации методами фотолитографии. Для этого на пленку наносится слой фоторезиста, после чего он высушивается и подложка (пленочной стороной) экспонируется через фотошаблон в специальной установке. Фотошаблонами являются маски в виде специально изготовленных негативов. После экспонирования фоторезиста производится его проявление и растворение, в результате чего создается маска для травления пленки. Далее пленка вытравливается.

Тонкопленочные резисторы наносятся на подложку в виде узких полосок, которые заканчиваются контактными площадками с высокой проводимостью. В качестве материала для резисторов обычно используется кермет (металлодиэлектрическая смесь). Активными элементами являются транзисторы в виде отдельного кристалла размером около 2x2 мм. В кристалле методами полупроводниковой технологии сформированы pn-переходы и соответствующие выводы для подключения. Кристалл припаивается к подложке, а коллектор, база и эммиттер транзистора соединяются со схемой при помощи гибких алюминиевых или золотых полосок.

13