Страница:Радиофронт 1931 г. №21-22.djvu/60

Материал из РадиоВики - энциклопедии радио и электроники
Перейти к: навигация, поиск
Выкупить рекламный блок
Эта страница не была вычитана


мотать катушку без вносящего потери каркасе, из многожильного провода и пр.

Проверим теперь, пригодна ли эта катушка для | приема телефонных сигналов, не будут ли слиии- к< XI срезываться наиболее высокие звуковые тона, соответствующие далеким боковым полосам.

При основной волне в 600 щ наиболее высо- I кий звуковой тон в 5 000 периодов или 5 щ I составляет всего лишь

5

600

= 0,830/0.

Подсчитаем, насколько сильно упадет напряжение при таком расстоянии от основной резонансной частоты.

= около 23%.

Такое падение напряжения уже будет обнаружено нашим ухом в виде искажения тембра (более глухой, не звонкий звук). Для хорошего приемника с хорошей низкой частотой и динамическим громкоговорителем это слишком большая, приносящая большие искажения избирательность.

Какой величины встречаются в практике радиоприема добротности катушек? Прежде всего надо еще раз напомнить, что добротность контура в очень большой степени зависит от присоединенной к нему нагрузки. Например, присоединение кристаллического детектора к разобранному нами контуру изменило бы его добротность с 50 сразу до 2—4, т. е. примерно в 20 раз. И чем лучше

Рис. 2

катушка, тем сильнее присоединенная к ней параллельная нагрузка понижает качество контура.

Действующее омическое сопротивление провода сотовых катушек колеблется от 10 омов для катушек с малым числом витков (50—70) и до 60—100 омов для катушек в 200—300 витков. Индуктив- | ное сопротивление катушек для средней волны I перекрываемого диапазона можно считать от 800—1 ООО омов для коротковолновой части обычного радиовещательного диапазона и до 2 500 — 3 000 омов для длинносолновой части. Из приведенных цифровых данных легко „прикинуть* до-

II бротность, ибо она определяется отношением ин- t дуктивного сопротивления катушки к ее действу- ющему, омическому для токов высокой частоты, к сопротивлению.

Получим, что дтя сотовых ка1ушск в

Витк< в

Действ, юш. I

I СОН ОТНВ 'СИ.

До ротность

50

7—15

СО—100

100

20-30

40-80

200

50-60

30-69

Никаких более точных таблиц для определения добротности сотовых катушек составить нельзя, ибо действующее сопротивление зависит от каркаса, изоляции, диаметра провода и пр. При лучших катушках (однослойных, оптимальных размерах и диаметре провода, наивыгоднейшем способе намотки и пр.) указанные цифры добротностей можно увеличить до 2 раз, т. е. не больше чем до 150—200. Специально же выполненные катушки (специальный каркас или совсем без каркаса) при всех наивыгоднейших прочих условиях могут иметь добротность до 300—400. В практических условиях такие контура не встречаются, и хорошую однослойную катушку надо считать имеющей добротность (избирательность) от 150 до 200.

При перестройке катушки по диапазону помощью переменного конденсатора добротность катушки меняется очень мало. Причиной этого является то, что с увеличением частоты одновременно и часто даже в одинаковой степени меняются и индуктивное и эффективное сопротивления той же катушки (при неизменности, конечно, коэфициента самоиндукции). Индуктивное сопротивление меняется прямо пропорционально частоте (обратно пропорционально длине волны).

Теперь рассмотрим вопрос, как меняется избирательность (добротность) при наличии в контуре некоторой омической нагрузки. При всякого рода расчетах очень выгодно заменять (см. рис. 2Л) сопротивление параллельной нагрузки R некоторым последовательным (дополнительным к имеющемуся) сопротивлением г, включенным в контур последовательно, как это и указано на рис. 2В. Поведение контура будет одинаковым как в случае схемы рис. 2А, так и схемы 2В. Нужно только изменить сооответственно число омов R в эквивалентном ему по действию, но неодинаковом по величине последовательном сопротивлении г. Общее правило для перевода R в г следующее:

г последовательное находится делением квадрата индуктивного сопротивления катушки ил» емкостного сопро швления конденсатора на R параллельное.

Деля ту же величину на г последовательное, определим обратно R параллельное.

Иначе эти правила можно написать готовым» формулами:

R . г = о)2Х« = (ojL)2

1 / 1 *

или R . г == - ч ~ I

ш-w(

Например, для разобранного нами выше контура с добротностью 50 наличие омической утечки параллельно контуру (положим, в плохой изоляции между пластинами конденсатора) в 500 000 омов эквивалентно увеличению действующего сопротивления контура на

(ojL)2 2* ^2.600 ООО2 . 200 ООО»

R ~~ R ~~ 500 000.1 000 000 0002 ~“1'2ома*

Получим, следовательно, что вместо 15 омов эффективное сопротивление увеличилось до 16,2 ома.

1284