Страница:Радиофронт 1934 г. №18.djvu/32

Материал из РадиоВики - энциклопедии радио и электроники
Перейти к: навигация, поиск
Выкупить рекламный блок
Эта страница не была вычитана


ИЗ ИНОСТРАННЫХ Ж У Р Н А'Л О В

ШЧГШ № ^

Шеек № И

&шштрб1!ашл5(

ЛАМПА

ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛАМЦЫ ПРИ НЕПОЛНОМ НАСЫЩЕНИИ 1

Если нить накала лампы обладает полным (резко выраженным) насыщением, то полная эмиссия нити, так же как и распределение этой эмиссии на. анодный и сеточный ток, становится независимой от величины сеточного напряжения, начиная с того момента, когда оно становится большим, чем напряжение насыщения.

Следствием этого является то обстоятельство, что в схеме отсутствует обратное действие нагрузки сеточной цени на режим лампы, что эквивалентно малой проницаемости в обычной схеме.

Однако, как известно, полным насыщением обладают лишь лампы с вольфрамовыми катодами.

Оксидные катоды, к числу которых принадлежат и подогревные, полного насыщения не имеют, вследствие чего форма рабочих характеристик таких ламп, включенных по схеме тормозящего детектора, должна повидимому отличаться от статических. На рис. 4 дана зависимость тока эмиссии лампы от сеточного напряжения для двух специально изготовленных

тормозящих ламп с одинаковыми размерами электродов, из коих одна с вольфрамовым, а вторая с подогревным накалом.

Как видно из рисунка, пунктирная кривая, относящаяся к лампе с подогревом, не имеет

1 Продолжение. Начало см. в IN* 17.

резкого насыщения, а обладает довольно основательным подъемом в тс}й части характеристики, где вольфрамовая нить уже дает насыщение. Этим и обусловливается то обстоятельство, что внутреннее сопротивление цепи сетки для вольфрамовой лампы в области насыщения,

где характеристика идет почш горизонтально, равняется 1,5 12, в то время как для подогревной лампы в этой же области оно равно всего лишь 0,2 12.

Посмотрим теперь, как влияет сеточное напряжение па форму анодных и сеточных характеристик при отсутствии полного насыщения.

При отрицательном напряжении анода, когда электроны целиком попадают на сетку после нескольких колебаний вокруг нее, сеточный ток равен эмиссионному и следовательно должен увеличиваться при увеличении напряжения на сетке за счет увеличения эмиссии. С другой стороны, при больших положительных напряжениях на аноде, когда все пролетевшие мимо сетки электроны попадают на анод, сеточный’ ток все же будет расти с увеличением сеточного напряжения (хотя и несколько медленнее, чем в первом случае) благодаря тому, что с увеличением эмиссии возрастает число электронов, непосредственно ударяющихся в провода сетки. Таким образом во всех участках кривой зависимости сеточного тока от напряжения на аноде сеточный ток должен расти, причем этот рост будет быстрее при малых напряжениях на